檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "Hsien-Kuang Liu".ecommittee (精準) and year="107"
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隨著積體電路(Integrated Circuit, IC)迅速發展演進,晶圓上金屬導線之線寬隨科技發展越來越小,在微型化發展過程中,為達金屬導線線寬微小化之目的,則需進行高解析度之微影製程,晶圓表…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率,然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…